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首款全碳化硅模块EASY1B已经量产,到2022年碳化硅半导体材料的市场规模或将达到40亿美元。
英飞凌在2016年6月上海举办的PCIM上展出了首款全碳化硅模块,在2017年纽伦堡举办的PCIM上展出了1200V碳化硅MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑,现在,英飞凌已经实现首款全碳化硅模块EASY1B的量产。
碳化硅具有宽能级、高击穿电场、高热传导率以及高饱和电子迁移速度等独特、优良的物理和电子特性,由碳化硅微粉制作的碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,碳化硅半导体具有热导率高(比硅高3倍)、与GaN晶格失配小(4%)等优势,是半导体领域的最佳材料。
碳化硅微粉制备功率模块流程图如下:
尽管英飞凌已经实现首款全碳化硅模块EASY1B的量产,但是以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料,在材料和器件制备技术方面还有很多问题,如何提高碳化硅晶片的尺寸以及碳化硅晶片量产难、制作成本高等问题都制约着碳化硅半导体的应用发展。不过,随着大量资金投入相关科研项目和研究所,碳化硅半导体的应用爆发期即将来临,根据预测,到2022年,碳化硅半导体材料的市场规模或将达到40亿美元,年平均复合增长率可达45%。
碳化硅半导体行业的快速发展,对生产碳化硅粉的企业来说既是机遇也是挑战。一方面对中小型企业来说,由于生产技术落后等因素,生产不出高品质的碳化硅微粉,就将面对市场淘汰或被吞并。另一方面可以推动资源整合,优化资源配置,使碳化硅粉市场更加有序稳定。
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